Memorie DRAM 64Mb 4Mx16bit 166MHz 6ns TSOP54 II

IC: memorie DRAM 64MbDRAM 4Mx16bit 166MHz 6ns TSOP54 II tub de la ISSI este un produs de înaltă calitate care se remarcă prin performanțe excelente și fiabilitate. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40...85°C, acest circuit integrat poate fi utilizat într-o varietate de medii de lucăru. Montarea sa simplă de tip SMD îl face potrivit pentru diverse aplicații. Carcasa TSOP54 II asigură o protecție eficientă împotriva factorilor externi.

Cu o tensiune de alimentare de 3,3V DC, acest modul de memorie DRAM oferă o capacitate de 64Mb, fiind ideal pentru proiectele care necesită stocare și acces rapid la date. Subtipul de memorie SDRAM și frecvența de sincronizare de 166MHz garantează o performanță excelentă în manipularea datelor.

Deși statusul piesei este nerecomandat pentru proiectele noi, organziația memoriei de tip 4Mx16bit și timpul de acces rapid de 6ns fac din acest circuit integrat o alegere excelentă pentru proiectele existente. Interfața sa paralelă facilitează integrarea sa în diverse configurații de echipamente electronice. Alegeți IC: memorie DRAM 64MbDRAM 4Mx16bit 166MHz 6ns TSOP54 II tub de la ISSI pentru performanțe remarcabile și fiabilitate în timp.