Memorie DRAM 4Gb 256Mx16bit 1,2V 1,2GHz

IC: memorie DRAM 4GbDRAM 256Mx16bit 1,2V 1,2GHz 14,16ns tavă, AS4C256M16D4-83BIN, este un produs de încredere fabricat de ALLIANCE MEMORY, special conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o montare SMD ușoară și rapidă, acest circuit integrat de tip memorie DRAM oferă performanțe remarcabile într-o carcasă compactă de tip FBGA96. Ambalat într-o tavă convenabilă, acest produs poate funcționa în condiții de temperatură variind de la -40°C până la 95°C, fiind ideal pentru o gamă largă de aplicații.

Cu o capacitate generoasă de memorie de 4GB DRAM și o tensiune de lucru de 1.2V, acest modul SDRAM oferă o frecvență de sincronizare impresionantă de 1.2GHz, asigurând o performanță rapidă și eficientă. Organizarea memoriei de 256Mx16bit permite o gestionare eficientă a datelor, iar timpul de acces rapid de 14.16ns garantează o experiență fluidă și fără întârzieri.

Indiferent de aplicația dumneavoastră specifică, IC: memorie DRAM 4GbDRAM 256Mx16bit 1,2V 1,2GHz 14,16ns tavă, AS4C256M16D4-83BIN, este alegerea perfectă pentru proiectele ce necesită o memorie fiabilă și performantă. Alegeți calitatea și eficiența cu acest produs de înaltă tehnologie, creat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor.