Memorie DRAM 64Mb 166MHz TSOP54 II

Circuitul integrat de memorie DRAM 64Mb 4Mx16bit 166MHz 6ns TSOP54 II tub de la ISSI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele tehnice ale aplicațiilor moderne. Acesta este un produs fiabil, cu un subtip de ambalaj tub, care permite o montare ușoară în aplicațiile SMD. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între 0 și 70°C, acest circuit integrat poate funcționa în diverse medii de lucru. Carcasa TSOP54 II oferă o protecție sporită și o integrare simplificată în designul electronic.

Tensiunea de alimentare de 3,3V DC asigură o eficiență energetică și o performanță optimă a dispozitivului. Memoria de 64Mb DRAM oferă o capacitate generoasă pentru stocarea datelor, iar tipul de circuit integrat, respectiv memoria DRAM, garantează o funcționare stabilă și rapidă. Subtipul de memorie SDRAM asigură o transferare eficientă a datelor la o frecvență de sincronizare de 166MHz.

Organizarea memoriei de 4Mx16bit permite accesul rapid la date, iar tipul de interfață paralel simplifică integrarea acestui circuit integrat în aplicațiile existente. Timpul de acces de 6ns asigură o performanță superioară și o reacție rapidă la comenzile utilizatorilor. Cu toate aceste caracteristici remarcabile, acest circuit integrat de memorie DRAM este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o memorie fiabilă și performantă.