• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Pachet
Memorie DRAM 512Mb 3,3V 143MHz 5,4ns | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie DRAM 512Mb 3,3V 143MHz 5,4ns | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie DRAM 512Mb 3,3V 143MHz 5,4ns

AS4C32M16SB-7TCN
IC: memorie DRAM; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3,3V; 143MHz; 5,4ns; tavă
102,80 lei
84,96 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
IC: memorie DRAM 512MbDRAM 8Mx16bitx4 3,3V 143MHz 5,4ns tavă, AS4C32M16SB-7TCN este un produs de la ALLIANCE MEMORY care se remarcă prin montare SMD și tipul circuit integrat de memorie DRAM. Carcasa sa TSOP54 II oferă o protecție optimă, iar subtipul de ambalaj în tavă îl face ușor de manipulat. Cu o temperatură de lucru între 0 și 70°C, această memorie SDRAM de 512Mb DRAM funcționează la o tensiune de lucru de 3,3V. Cu o frecvență de sincronizare de 143MHz și o organizare de memorie de 8Mx16bitx4, acest circuit integrat oferă o performanță ridicată. Interfața sa paralelă și timpul de acces de 5,4ns îl fac ideal pentru aplicații care necesită viteze mari de transfer de date.
Detalii
AS4C32M16SB-7TCN

Fisa tehnica

Producător
ALLIANCE MEMORY
Temperatura de lucru
0...70°C
Subtip ambalaj
tavă
Tensiune de lucru
3.3V
Montare
SMD
Carcasă
TSOP54 II
memorie
512Mb DRAM
Tip circuit integrat
memorie DRAM
Subtip memorie
SDRAM
Frecvenţă sincronizare
143MHz
Organizare memorie
8Mx16bitx4
Tip interfaţă
paralel
Timp de acces
5.4ns

Coduri specifice

cod UPC
594656942789
cod EAN13
5942167287304
Cod MPN
AS4C32M16SB-7TCN
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: