Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7

G2R1000MT17J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
53,01 lei
43,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 4A Idm: 8A 54W TO263-7 de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un ambalaj de tip tub și se montează cu tehnologia SMD. Carcasa TO263-7 oferă o putere de disipare de 54W, iar caracteristicile elementelor semiconductoare includ terminalul Kelvin. Cu un curent de drenaj în impuls de 8A, acest tranzistor este polarizat unipolar și suportă un curent de drenaj de 4A. Tensiunea drenaj-sursă este de 1,7kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 20V. Rezistența în timpul funcționării este de 1Ω, iar subtipul canalului este îmbogățit. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia SiC și tehnologia G2R™ pentru performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră.
Detalii
G2R1000MT17J

Fisa tehnica

Producător
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
54W
Montare
SMD
Carcasă
TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
8A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
4A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
G2R™
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594695083320
cod EAN13
5940831691235
Cod MPN
G2R1000MT17J
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: