Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 600V 13A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 13A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 13A 110W DPAK

STD18N60M6
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
17,92 lei
14,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă de 13A, acest tranzistor este perfect pentru proiectele care necesită o putere disipată de până la 110W. Având o rezistență în timpul funcționării de 0,23Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.

Carcasa DPAK și montarea SMD fac ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în designul dumneavoastră, în timp ce polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit asigură o funcționare precisă și eficientă. Cu o încărcătură de poartă de 16,8nC și un curent de drenă în impuls de 38A, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice.

Indiferent dacă lucrați la un proiect de hobby sau la un proiect comercial, tranzistorul N-MOSFET de la STMicroelectronics vă va oferi performanțe excelente și fiabilitate pe care vă puteți baza. Nu ezitați să îl adăugați la coșul dumneavoastră de cumpărături pentru a profita de toate beneficiile sale!
Detalii
STMicroelectronics
STD18N60M6

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Putere disipată
110W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Curent de drenă în impuls
38A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
13A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,23Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
16,8nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594371945522
cod EAN13
5949352017159
Cod MPN
STD18N60M6
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 600V 500mA Idm 2A - Componentă Electronică Profesională | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: P0R5B60HP2-5071

Marca: SHINDENGEN

Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 600V 500mA Idm 2A - Componentă Electronică Profesională

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
6,21 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 600V 500mA Idm 2A - Componentă Electronică Profesională
In stoc