Tranzistor N-MOSFET GigaMOS 55V 550A 830W

Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ unipolar 55V 550A Idm: 2kA 830W, MMIX1T550N055T2 de la IXYS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o rezistență scăzută în timpul funcționării. Acest tranzistor este montat în tehnologia TrenchT2™, ceea ce îl face extrem de eficient din punct de vedere energetic.

Cu o putere disipată de 830W și un curent de drenă în impuls de 2kA, acest tranzistor poate gestiona sarcini grele fără probleme. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru aplicații specifice, iar tensiunea drenă-sursă de 55V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac versatil în diferite scenarii de utilizare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 1.3mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o disipare minimă a căldurii. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 595nC fac acest tranzistor potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ unipolar 55V 550A Idm: 2kA 830W, MMIX1T550N055T2 de la IXYS este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită un tranzistor puternic, eficient și fiabil. Cu un timp de restabilire de 100ns, acest tranzistor este rapid și responsiv, asigurând performanțe de top în orice aplicație.