Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3

IXFH86N30T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3
94,60 lei
78,18 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 300V 86A 860W TO247-3 este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere disipată mare. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub TO247-3 și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații. Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o polarizare unipolară, un curent de drenă de 86A și o tensiune drenă-sursă de 300V.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 46mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 143nC.

Tranzistorul IXYS N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acesta este potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale, fiind un component esențial în proiectarea circuitelor electronice avansate.
Detalii
IXFH86N30T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
860W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
86A
Tensiune drenă-sursă
300V
Rezistenţă în timpul funcţionării
46mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
143nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594465686881
cod EAN13
5941496948535
Cod MPN
IXFH86N30T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRFD210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat