N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W Tranzistor

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 33A Idm: 85A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de ultimă generație, proiectat pentru performanțe superioare în aplicațiile tale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice deosebite, cum ar fi puterea disipată de 250W, curentul de drenă în impuls de 85A și tensiunea drenă-sursă de 1,2kV. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 65mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență maximă în circuitul tău.

Subtipul de ambalaj tub și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea acestui tranzistor în proiectele tale, iar carcasa TO247-3 oferă protecție și durabilitate sporită. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit contribuie la performanțe optimizate, iar încărcătura poartă de 60nC asigură o comutare rapidă și eficientă.

Tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -4...18V conferă flexibilitate în utilizare, iar curentul de drenă de 33A și tensiunea poartă-sursă de 1,2kV fac din acest tranzistor alegerea ideală pentru aplicațiile tale de putere. Cu tehnologia SiC avansată, acest tranzistor oferă performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul N-MOSFET SiC de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru proiectele tale de electronică cu adevărat remarcabile!