• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET 600V 45A 410W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 600V 45A 410W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 600V 45A 410W Tranzistor

WMJ80N60C4-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
92,31 lei
76,29 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ C4 unipolar 600V 45A Idm: 245A 410W este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Producătorul acestui tranzistor este WAYON, iar subtipul ambalajului este tub. Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa este de tip TO247-3.

Cu o putere disipată de 410W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 245A. Polarizarea este unipolară, iar curentul de drenaj este de 45A. Tensiunea drenaj-sursă poate ajunge până la 600V, în timp ce tensiunea poartă-sursă este de ±30V. Rezistența în timpul funcționării este de 33mΩ, iar subtipul canalului este îmbogățit.

Încărcătura poartă este de 103nC, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET. Timpul de restabilire este de 375ns, iar tehnologia folosită este WMOS™ C4. Cu toate aceste caracteristici de top, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică.
Detalii
WMJ80N60C4-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
410W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
245A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
45A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
33mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
103nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
375ns
Tehnologie
WMOS™ C4

Coduri specifice

cod EAN13
5945733124447
Cod MPN
WMJ80N60C4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: