Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 600V 30A 540W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 30A 540W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 30A 540W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 30A 540W TO247-3

IXTH30N60P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
92,93 lei
76,80 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 600V 30A 540W TO247-3 500ns este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,24Ω și o tensiune de drenaj-sursă de 600V, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și durabile.

Beneficiind de caracteristici standard power mosfet și un design unipolar, acest tranzistor este ușor de montat și de utilizat în diverse aplicații. Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară asigură o funcționare eficientă și stabilă în diferite condiții de lucru. Încărcătura poartă de 82nC și timpul de restabilire de 0,5µs sunt optimizate pentru a oferi performanțe excelente și rapide.

Cu o putere disipată de 540W și un curent de drenaj de 30A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Carcasa TO247-3 și montarea THT fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru proiectele electronice care necesită o soluție de înaltă performanță.IXYS este producătorul acestui tranzistor de încredere, cunoscut pentru calitatea și fiabilitatea produselor sale.
Detalii
IXTH30N60P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
540W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
standard power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
30A
Tensiune drenă-sursă
600V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,24Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
82nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
0,5µs

Coduri specifice

cod EAN13
5943335434230
Cod MPN
IXTH30N60P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Co

Cod: VN10KN3-G

Marca: Microchip

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92
10,13 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc