Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 78W

Tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 28A 78W este un dispozitiv electronic cu performanțe excepționale, potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu o putere disipată de 78W, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 0,45Ω, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă. Montarea THT și carcasa TO247-3 fac din acest produs ușor de instalat și integrat în diferite sisteme electronice.

Curentul de drenă în impuls de 28A și curentul de drenă de 8A permit acestui tranzistor să gestioneze sarcini de putere ridicate, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 1,2kV asigură o protecție adecvată împotriva supratensiunilor. Subtipul canal îmbogățit și tehnologia SiC garantează performanțe superioare în aplicațiile cu cerințe ridicate.

Cu o încărcătură de poartă de 21nC, acest tranzistor MICROCHIP (MICROSEMI) este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă. Fiind un N-MOSFET, acest dispozitiv oferă o polarizare unipolară, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice.

În concluzie, tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 28A 78W este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită o performanță de înaltă calitate și o fiabilitate pe termen lung.