Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 6A 250W TO220AB

Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 1,2kV 6A 250W TO220AB este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice deosebite, care îl fac ideal pentru o gamă variată de proiecte electronice.

Producător: IXYS
Subtip ambalaj: tub
Montare: THT
Carcasă: TO220AB
Putere disipată: 250W
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 6A
Tensiune drenă-sursă: 1,2kV
Subtip canal: îmbogățit
Încărcătură poartă: 92nC
Tip tranzistor: N-MOSFET

Tranzistorul IXYS N-MOSFET se remarcă prin fiabilitatea sa excepțională și performanța superioară în condiții de funcționare variate. Carcasa TO220AB asigură o disipare eficientă a căldurii, protejând astfel componentele electronice sensibile împotriva supraincalzirii. Cu o putere disipată de 250W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de putere ridicate.

Datorită polarizării unipolare și a tensiunii drenă-sursă de 1,2kV, tranzistorul IXYS N-MOSFET este potrivit pentru aplicații care necesită o izolație electrică ridicată și o performanță stabilă pe termen lung. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 92nC contribuie la eficiența și reactivitatea acestui tranzistor, facându-l o alegere ideală pentru aplicații de comutație și amplificare.

Cu tranzistorul IXYS N-MOSFET, veți beneficia de o soluție electronică de încredere, care vă va permite să realizați proiectele dumneavoastră cu succes și să obțineți rezultate deosebite. Alegeți performanța și fiabilitatea tranzistorului IXYS pentru aplicațiile dumneavoastră electronice!