Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2

APT38F80B2
Microchip
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW
158,58 lei
131,06 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 26A Idm: 150A 1,04kW, APT38F80B2 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în domeniul electronicelor.

Cu o montare THT și o carcasă TO247MAX, acest tranzistor utilizează tehnologia POWER MOS 8® pentru a asigura fiabilitate și eficiență. Cu o putere disipată de 1.04kW, acesta poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 150A, facilitând astfel funcționarea optimă a dispozitivelor electronice.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, iar curentul de drenaj de 26A și tensiunea drenaj-sursă de 800V îl fac ideal pentru utilizare în diferite circuite. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 0.24Ω îl fac un component esențial pentru proiectele electronice complexe.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 260nC, acest tranzistor N-MOSFET este conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Este un produs de încredere, care se remarcă prin calitate și eficiență, fiind alegerea perfectă pentru proiectele electronice exigente.
Detalii
APT38F80B2

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
1,04kW
1.04kW
Montare
THT
Carcasă
TO247MAX
Curent de drenă în impuls
150A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
26A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,24Ω
0.24Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
260nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
POWER MOS 8®

Coduri specifice

cod UPC
594982974980
cod EAN13
5940690783669
Cod MPN
APT38F80B2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 0,45A 0,7W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: ZVN2106ASTZ

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 0,45A 0,7W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,45A; 0,7W; TO92
8,83 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 0,45A 0,7W TO92 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate
In stoc