• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 60V 81A 170W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 60V 81A 170W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 60V 81A 170W TO220AB

IRF1010EPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
9,87 lei
8,16 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 81A 170W TO220AB fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție tehnologică de ultimă generație, ideală pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor dispune de un subtip de ambalaj tub și este montat prin tehnica THT, având o carcasă TO220AB. Cu o putere disipată de 170W și o polarizare unipolară, acest dispozitiv este proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe de performanță.

Cu o curent drenă de 81A și o tensiune drenă-sursă de 60V, tranzistorul N-MOSFET unipolar asigură o funcționare eficientă și stabilă în diverse aplicații. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 12mΩ contribuie la o conducere optimă a curentului, iar subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 86,6nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o comutare rapidă și precisă.

Cu un tip de tranzistor N-MOSFET și tehnologia HEXFET®, acest dispozitiv oferă performanțe remarcabile și o durabilitate deosebită. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 81A 170W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o soluție de înaltă calitate și fiabilă.
Detalii
IRF1010EPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
170W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
81A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
86,6nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594804610959
cod EAN13
5949882969959
Cod MPN
IRF1010EPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: