• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 250V 110A TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 110A TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 110A TO247-3

IXTH110N25T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
84,37 lei
69,73 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 250V 110A 694W TO247-3 170ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită putere mare și eficiență maximă. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de utilizat și instalat în diferite aplicații. Carcasa TO247-3 oferă o disipare eficientă a căldurii, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de mediu.

Cu o putere disipată de 694W și caracteristici de elemente semiconductoare de tip thrench gate power mosfet, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență energetică. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 110A îl fac potrivit pentru aplicații de putere mare.

Tensiunea drenaj-sursă de 250V și rezistența de funcționare de 26mΩ asigură o funcționare stabilă și sigură în diverse aplicații. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 157nC îl fac ideal pentru aplicații de comutare rapidă și eficientă.

Cu un timp de restabilire de 170ns, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. IXYS N-MOSFET unipolar 250V 110A 694W TO247-3 este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită putere mare și eficiență energetică.
Detalii
IXTH110N25T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
694W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
110A
Tensiune drenă-sursă
250V
Rezistenţă în timpul funcţionării
26mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
157nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
170ns

Coduri specifice

cod UPC
594037168753
cod EAN13
5945738841851
Cod MPN
IXTH110N25T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: