• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 300V 52A 400W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 300V 52A 400W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 300V 52A 400W TO3P

IXTQ52N30P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
57,43 lei
47,46 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 300V 52A 400W TO3P 250ns este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale remarcabile, precum carcasa TO3P durabilă și fiabilă, puterea disipată de 400W pentru performanțe excelente în medii solicitante și polarizarea unipolară pentru o funcționare simplificată.

Cu o curent de drenaj de 52A și o tensiune drenaj-sursă de 300V, acest tranzistor oferă o performanță de neegalat în domeniul electronicelor. Rezistența în timpul funcționării de doar 73mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând în același timp temperaturile la un nivel optim.

Grație tehnologiei Polar™ avansate, acest tranzistor oferă un timp de restabilire rapid de 250ns, ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de viteză și precizie. Cu un subtip de canal îmbogățit și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor se potrivește perfect pentru o varietate de aplicații electronice complexe.

Indiferent de proiectul dvs., Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ este alegerea perfectă pentru performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și precizia pe care o oferă acest tranzistor de încredere!
Detalii
IXTQ52N30P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
400W
Montare
THT
Carcasă
TO3P
Polarizare
unipolar
Curent drenă
52A
Tensiune drenă-sursă
300V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
73mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
110nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
250ns
Tehnologie
Polar™

Coduri specifice

cod UPC
594613146458
cod EAN13
5941461528182
Cod MPN
IXTQ52N30P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRLD014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,2A; 1,3W; HVMDIP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
4,55 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc