• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 150A 375W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 150A 375W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 150A 375W TO220-3

CSD19536KCS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
42,17 lei
34,85 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 150A 375W TO220-3 de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, cum ar fi carcasa TO220-3 durabilă, puterea disipată de 375W și polarizarea unipolară.

Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și o curent drenă de 150A, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicațiile care necesită puteri ridicate. Rezistența în timpul funcționării de 2,3mΩ asigură o conducere eficientă a curentului, iar tehnologia NexFET™ garantează o funcționare fiabilă și durabilă.

Având un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 118nC, acest tranzistor N-MOSFET este soluția perfectă pentru proiectele care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Grosimea radiatorului de 1,14...1,4mm contribuie la disiparea eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la temperaturi optime de funcționare.

Cu TEXAS INSTRUMENTS ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor N-MOSFET unipolar vă va oferi performanțe exceptionale și fiabilitate pe termen lung în proiectele dumneavoastră. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate și bucurați-vă de rezultate remarcabile!
Detalii
CSD19536KCS

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
375W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
150A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
118nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™
Grosime radiator
1,14...1,4mm

Coduri specifice

cod EAN13
5944908634477
Cod MPN
CSD19536KCS
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: