• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB

IRLB4030PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
29,45 lei
24,34 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune de 100V, curent de 180A și putere de 370W TO220AB oferă performanțe de vârf pentru aplicațiile tale electronice. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor beneficiază de un subtip de ambalaj tub, montare prin găuri tehnologie TO220AB, ceea ce îl face ușor de integrat în proiectele tale. Cu caracteristici semiconductoare de nivel logic, acest tranzistor se remarcă prin polarizarea unipolară, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Cu o rezistență de doar 4,3mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă o performanță superioară. Subtipul canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 87nC asigură o funcționare optimă în aplicațiile tale. Cu o tensiune de poartă-sursă de ±16V și tehnologie HEXFET®, acest tranzistor N-MOSFET este alegerea ideală pentru proiectele tale de electronică.
Detalii
IRLB4030PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
370W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
logic level
Polarizare
unipolar
Curent drenă
180A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării
4,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
87nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5942523013561
Cod MPN
IRLB4030PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: