Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 24W și este echipat cu un element semiconductor ESD protejat, asigurând o funcționare fiabilă și durabilă. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 800V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 2Ω și o încărcătură de poartă de 9nC.
Datorită tehnologiei avansate CoolMOS™ P7, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o performanță superioară și o eficiență energetică ridicată. Cu un curent de drenare de 1,9A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv este perfect pentru montajul prin găuri tehnologice (THT) în carcasă IPAK.
Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanță de înaltă calitate.
Detalii
IPU80R2K0P7
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
24W
Montare
THT
Carcasă
IPAK
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,9A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
9nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7
Coduri specifice
cod EAN13
5946487534575
Cod MPN
IPU80R2K0P7AKMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.