• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 800V 8A 300W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 8A 300W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 8A 300W TO3PN

FQA13N80-F109
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50,4A; 300W; TO3PN
54,76 lei
45,26 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 8A Idm: 50,4A 300W TO3PN de la ONSEMI este un dispozitiv puternic și fiabil, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi puterea disipată de 300W, curentul de drenă în impuls de 50,4A și tensiunea drenă-sursă de 800V. Montarea sa se face prin tehnologia THT, iar carcasă TO3PN oferă o protecție adecvată.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,75Ω, acest tranzistor asigură o performanță optimă și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii de 88nC îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnale. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±30V completează setul de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor.

Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor N-MOSFET. Indiferent de aplicația dvs., acest dispozitiv va livra rezultate excelente și va asigura o funcționare fără probleme. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 8A Idm: 50,4A 300W TO3PN pentru proiectele dvs. electronice și obțineți performanță superioară și fiabilitate de la unul dintre cei mai buni producători din industrie.
Detalii
ONSEMI
FQA13N80-F109

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
300W
Montare
THT
Carcasă
TO3PN
Curent de drenă în impuls
50,4A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,75Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
88nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5941801448996
Cod MPN
FQA13N80-F109
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: