N-MOSFET 600V 10A 200W TO220AB

Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 600V 10A 200W TO220AB 120ns este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare mare. Acest tranzistor se remarcă prin rezistența sa redusă în timpul funcționării de doar 0,74Ω, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de curent ridicate. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 600V, acesta poate gestiona cu succes surse de alimentare cu tensiune mare.

Subtipul ambalajului este de tip tub, iar montarea se realizează prin tehnologia THT. Carcasa TO220AB asigură o bună disipare termică, contribuind la menținerea tranzistorului la o temperatură optimă de funcționare. Fiind un tranzistor unipolar, acesta oferă o polarizare eficientă și o performanță fiabilă în diverse aplicații.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura de poartă este de 32nC, ceea ce asigură o comutare rapidă și eficientă. Timpul de restabilire de 120ns face ca acest tranzistor să fie potrivit pentru aplicații sensibile la timpii de comutare. Cu o putere disipată de 200W, acest tranzistor este robust și fiabil în condiții de funcționare variate.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 600V 10A 200W TO220AB 120ns este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită un tranzistor puternic, fiabil și cu timpi de comutare rapizi. Fiind fabricat de către IXYS, acesta beneficiază de standarde ridicate de calitate și performanță.