Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 100V 130A 360W TO220AB 67ns este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220AB și se montează cu tehnologia THT. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 9,1mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în ceea ce privește curentul drenă și tensiunea drenă-sursă.
Caracteristicile elementelor semiconductoare thrench gate power mosfet îl fac ideal pentru aplicații de putere ridicată, iar polarizarea unipolară îl face ușor de utilizat. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 104nC asigură o funcționare stabilă și eficientă.
Cu o putere disipată de 360W, acest tranzistor poate face față cu ușurință sarcinilor intense. Timpul de restabilire rapid de 67ns îl face potrivit pentru aplicații care necesită comutare rapidă și precisă. IXYS N-MOSFET unipolar 100V 130A 360W TO220AB 67ns este alegerea perfectă pentru proiectele tale de electronică de putere.
Detalii
IXTP130N10T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
360W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
130A
Tensiune drenă-sursă
100V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9,1mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
104nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
67ns
Coduri specifice
cod EAN13
5943606225109
Cod MPN
IXTP130N10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.