N-MOSFET unipolar 900V 24A 660W TO247-3

Descoperiți performanța superioară a N-MOSFET-ului unipolar IXYS, un component esențial pentru aplicații de putere avansate. Cu o tensiune drenă-sursă impresionantă de 900V și un curent drenă de 24A, acest tranzistor N-MOSFET se dovedește a fi soluția ideală pentru cerințe exigente de eficiență și fiabilitate.

Carcasa TO247-3 facilitează o montare THT simplă, iar subtipul ambalajului în tub asigură o protecție optimă în timpul transportului și stocării. Cu o putere disipată de până la 660W, acest tranzistor oferă un management termic excelent, esențial în aplicații industriale și comerciale.

Rezistența în timpul funcționării de 0,42Ω garantează pierderi minime de energie, contribuind astfel la o eficiență operațională crescută. Polarizarea unipolară și canalul îmbogățit asigură performanțe rapide și fiabile, iar încărcătura poartă de 130nC optimizează controlul semnalului.

Alegeți N-MOSFET-ul unipolar IXYS pentru soluții inovative în domeniul electronicii de putere, unde fiecare detaliu contează pentru a îndeplini cele mai înalte standarde de performanță și durabilitate.