Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 295A 375W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o eficiență remarcabilă. Acest tranzistor StrongIRFET este proiectat să ofere performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Cu o putere disipată impresionantă de 375W, acest tranzistor poate gestiona sarcini grele fără probleme. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 2mΩ, acesta minimizează pierderile de putere și asigură o eficiență energetică excelentă.
Tensiunea drenă-sursă de 60V și curentul de drenă de 295A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o gestionare eficientă a energiei. Tehnologia HEXFET® asigură performanțe de vârf și fiabilitate pe care vă puteți baza.
Indiferent dacă este vorba despre aplicații industriale sau comerciale, acest tranzistor N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Nu lăsați să vă limiteze performanța - alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 295A 375W TO220AB pentru o funcționare eficientă și fiabilă.
Detalii
IRFB7530PBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
375W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Denumire comercială
StrongIRFET
Polarizare
unipolar
Curent drenă
295A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
274nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod UPC
594622259088
cod EAN13
5942581705712
Cod MPN
IRFB7530PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.