• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 200V 30A 214W TO247AD | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 30A 214W TO247AD | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 30A 214W TO247AD

IRFP250MPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
25,18 lei
20,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor. Acest tranzistor dispune de o putere disipată impresionantă de 214W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 30A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Carcasa TO247AD oferă o montare simplă și sigură, iar rezistența redusă în timpul funcționării de 75mΩ asigură o eficiență optimă a dispozitivului. Tensiunea drenaj-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o funcționare stabilă și fiabilă într-o varietate de aplicații. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 123nC optimizează performanța tranzistorului în condiții de funcționare variate.

Acest tranzistor N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este fabricat conform tehnologiei HEXFET®, ceea ce garantează o calitate superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu un subtip de ambalaj în tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Alegeți performanța și fiabilitatea cu tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES!
Detalii
IRFP250MPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
214W
Montare
THT
Carcasă
TO247AD
Polarizare
unipolar
Curent drenă
30A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
75mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
123nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5940202566469
Cod MPN
IRFP250MPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 2,7A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compo

Cod: IRFU110PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 2,7A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; 25W; IPAK,TO251
5,14 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 2,7A 25W IPAK TO251 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
4,55 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc