• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 600V 6.3A 90W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 6.3A 90W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 6.3A 90W

STP11NM60ND
Tranzistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6,3A; 90W
22,98 lei
18,99 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET FDmesh™ II unipolar 600V 6,3A 90W, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații în care se cere o putere de disipare de până la 90W. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat în mod tradițional, având o carcasă TO220-3.

Cu o polarizare unipolară, tranzistorul are o capacitate de curent de drenaj de 6,3A și o tensiune drenaj-sursă de 600V, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Tensiunea poartă-sursă este de ±25V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,45Ω.

Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată FDmesh™ II, oferind performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canal este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET. Cu aceste caracteristici deosebite, tranzistorul N-MOSFET FDmesh™ II de la STMicroelectronics este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită o soluție de înaltă calitate.
Detalii
STP11NM60ND

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
90W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6,3A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,45Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
FDmesh™ II

Coduri specifice

cod UPC
594401828856
cod EAN13
5946781407223
Cod MPN
STP11NM60ND
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: