• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 80V 100A TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 80V 100A TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 80V 100A TO220-3

CSD19501KCS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
20,26 lei
16,74 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 80V 100A 217W TO220-3 de la TEXAS INSTRUMENTS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o eficiență ridicată. Acest tranzistor este fabricat de TEXAS INSTRUMENTS și vine într-un subtip de ambalaj tub, perfect pentru montajul prin găuri tehnologie. Cu o putere disipată de 217W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de curent de până la 100A. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru aplicații specifice, iar tensiunea drenă-sursă de 80V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac versatil pentru diferite configurații de circuit.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 5,5mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii, menținându-l în limitele de temperatură sigure. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 38nC îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe specifice de performanță. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia NexFET™, garantând fiabilitate și eficiență în funcționare. Grosimea radiatorului de 1,14...1,4mm asigură o disipare optimă a căldurii, menținând tranzistorul la temperaturi de funcționare sigure. Cu TEXAS INSTRUMENTS la producător, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor N-MOSFET de înaltă putere.
Detalii
CSD19501KCS

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
217W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
80V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
5,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™
Grosime radiator
1,14...1,4mm

Coduri specifice

cod UPC
594480637868
cod EAN13
5941624358540
Cod MPN
CSD19501KCS
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: