Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A 241W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 27A Idm: 80A 241W, B1M080120HC de la BASiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa de ultimă generație SiC, care îi conferă performanțe superioare și durabilitate în timp. Carcasa TO247-3 oferă o montare simplă și sigură, iar subtipul de ambalaj tub asigură protecție împotriva factorilor externi.

Cu o putere disipată de 241W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de mare intensitate. Curentul de drenă în impuls de 80A și curentul drenă de 27A îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă cuprinse între -5 și 20V îl fac versatil și potrivit pentru diverse configurații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 80mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii și o funcționare stabilă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 149nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe specifice. Tranzistorul N-MOSFET oferă o polarizare unipolară și este potrivit pentru diverse proiecte electronice.

Cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 27A Idm: 80A 241W, B1M080120HC de la BASiC SEMICONDUCTOR veți obține performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung pentru proiectele dumneavoastră electronice. Alegeți calitatea și inovația pentru aplicațiile dumneavoastră!