• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET unipolar 55V 80A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET unipolar 55V 80A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET unipolar 55V 80A 200W TO220AB

IRF3205PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
13,76 lei
11,37 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 55V 80A 200W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este echipat cu o putere disipată de 200W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere mari. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 55V, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și constante.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 8mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare îndelungată și stabilă. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura portii de 146nC contribuie la performanțe superioare și la o funcționare eficientă a dispozitivului.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat într-o varietate de aplicații. Carcasa TO220AB oferă protecție și durabilitate, asigurând o funcționare sigură și fiabilă în diverse condiții de mediu. Tehnologia HEXFET® asigură o performanță superioară și o durabilitate îndelungată.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 55V 80A 200W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută un dispozitiv de înaltă calitate, fiabil și eficient pentru aplicațiile lor electronice.
Detalii
IRF3205PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
200W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
80A
Tensiune drenă-sursă
55V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
146nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5949934549375
Cod MPN
IRF3205PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: