• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ - Modul de putere eficient energiei

IXFX230N20T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
182,77 lei
151,05 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți performanța excepțională a Tranzistorului N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ de la IXYS, soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată. Proiectat pentru a oferi eficiență energetică maximă, acest tranzistor utilizează tehnologia de ultimă generație a semiconductorilor, garantând o disipare a puterii de 1670W. Cu o capacitate de curent drenă de 230A și o tensiune drenă-sursă de 200V, produsul asigură o performanță robustă în condiții exigente.

Carcasa PLUS247™ facilitează o montare ușoară prin tehnologia THT, iar ambalajul în tub protejează integritatea produsului în timpul transportului. Datorită caracteristicilor sale avansate, precum rezistența în timpul funcționării de doar 7,5mΩ și încărcătura de poartă de 358nC, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și comerciale, unde eficiența energetică și fiabilitatea sunt esențiale.

Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură o operare stabilă și eficientă, făcând din acest N-MOSFET alegerea perfectă pentru inginerii care caută soluții de înaltă performanță. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET 200V 230A 1670W PLUS247™ și transformați-vă aplicațiile de putere într-o realitate eficientă și de încredere.
Detalii
IXFX230N20T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
1670W
Montare
THT
Carcasă
PLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
230A
Tensiune drenă-sursă
200V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
358nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594314103286
cod EAN13
5946819331162
Cod MPN
IXFX230N20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc