Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB

IRF630NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB
11,10 lei
9,17 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 9,5A 82W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor are o putere disipată de 82W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini grele. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Cu un curent de drenaj de 9,5A și o tensiune drenaj-sursă de 200V, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini mari. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,3Ω contribuie la performanța excelentă a acestui dispozitiv.

Tranzistorul are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 23,3nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la viteză. Cu tehnologia HEXFET®, acest tranzistor oferă o fiabilitate ridicată și o durată lungă de viață.

Împachetat într-un tub și cu montare THT, acest tranzistor este ușor de instalat și potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 9,5A 82W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES, puteți fi sigur că veți obține performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
IRF630NPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
82W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
9,5A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,3Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
23,3nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5947056412478
Cod MPN
IRF630NPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc