Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 55A Idm: 160A 320,5W, S2M0040120K-1

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 55A Idm: 160A 320,5W, S2M0040120K-1 de la SMC DIODE SOLUTIONS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică. Acest tranzistor se remarcă prin montarea sa prin găuri tehnologice (THT) și carcasa TO247-4, oferind o soluție fiabilă și eficientă. Tehnologia SiC îl face ideal pentru utilizare în medii exigente, iar caracteristicile elementelor semiconductoare, precum terminalul Kelvin, îl fac un produs de încredere.

Cu o putere disipată de 320.5W și un curent de drenă în impuls de 160A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intense fără probleme. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 55A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă de -5...20V îl fac versatil și ușor de integrat în diferite circuite.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 40mΩ, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență maximă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 118nC îl fac ideal pentru aplicațiile dumneavoastră de putere. Tipul tranzistorului, N-MOSFET, completează lista de specificații, făcându-l un produs de încredere pentru proiectele dumneavoastră de electronică.