• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Polar 1kV 26A 780W TO264 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 1kV 26A 780W TO264 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 1kV 26A 780W TO264 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar 1kV 26A 780W TO264 Tranzistor

IXFK26N100P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
316,66 lei
261,70 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 1kV 26A 780W TO264 300ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe de putere și fiabilitate. Acest tranzistor este fabricat de producătorul de top IXYS și este ambalat într-un tub TO264 pentru o montare ușoară pe placa de circuit. Cu o putere disipată impresionantă de 780W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent drenă de până la 26A și tensiuni drenă-sursă de 1kV.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor asigură o performanță optimă în aplicații de putere, iar rezistența sa redusă în timpul funcționării de doar 390mΩ îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de eficiență energetică. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 197nC contribuie la o comutare rapidă și eficientă a tranzistorului.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și un timp de restabilire de 300ns, acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată HiPerFET™, care îmbină performanța superioară cu fiabilitatea pe termen lung. Tehnologia Polar™ utilizată în acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și sigură într-o varietate de aplicații de putere.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 1kV 26A 780W TO264 300ns este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente aplicații electronice.
Detalii
IXFK26N100P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
780W
Montare
THT
Carcasă
TO264
Polarizare
unipolar
Curent drenă
26A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
390mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
197nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
300ns
Tehnologie
HiPerFET™
Polar™

Coduri specifice

cod EAN13
5946807677333
Cod MPN
IXFK26N100P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: