• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W

WMJ80N60EM-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
178,31 lei
147,36 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți performanța de vârf și fiabilitatea excepțională oferite de Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W de la Wayo. Acest dispozitiv avansat este proiectat pentru a îndeplini cele mai exigente cerințe ale aplicațiilor de putere, având o putere disipată de 430W și un curent de drenă de 48A, perfect pentru circuite de înaltă eficiență.

Construit cu tehnologia WMOS™ EM, acest tranzistor N-MOSFET se distinge printr-o rezistență de numai 43mΩ în timpul funcționării, asigurând o disipare minimă de energie și o performanță optimă. Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±30V permit utilizarea în aplicații cu cerințe electrice ridicate, oferind astfel versatilitate și fiabilitate.

Montarea THT și carcasa TO247-3 facilitează integrarea ușoară în proiectele dumneavoastră, în timp ce subtipul canal îmbogățit asigură o reacție rapidă și eficientă. Cu o încărcătură a porții de 142nC și un curent de drenă în impuls de 295A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de comutare rapidă și control al puterii.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la Wayo pentru soluții electrice de înaltă performanță și eficiență energetică!
Detalii
WMJ80N60EM-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
430W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
295A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
48A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
43mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
142nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ EM

Coduri specifice

cod UPC
594883730449
cod EAN13
5947882364309
Cod MPN
WMJ80N60EM
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională | Electronic-mag.ro | Componente E

Cod: WMP09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională
Ultimele produse in stoc