Tranzistor N-MOSFET TO247

Descoperiți puterea și eficiența tranzistorului N-MOSFET TO247 de la Microchip, un component esențial pentru aplicații de înaltă performanță. Conceput pentru a răspunde celor mai exigente cerințe din domeniul electronicii, acest tranzistor asigură o putere disipată de 500W, fiind ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Cu o carcasă robustă TO247 și montare THT, oferă o integrare ușoară în diverse circuite.

Tranzistorul N-MOSFET beneficiază de o polarizare unipolară și un curent drenă de 14A, ceea ce îl face perfect pentru aplicații care necesită gestionarea eficientă a energiei. Tensiunea drenă-sursă de 1kV și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură un nivel înalt de fiabilitate și siguranță în funcționare. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 980mΩ, acest model minimizează pierderile de energie, maximizând eficiența sistemului.

Tehnologia avansată POWER MOS 8® și subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțele excelente ale acestui tranzistor, iar încărcătura poartă de 0,12µC permite un control precis al semnalelor. Alegeți tranzistorul N-MOSFET TO247 de la Microchip pentru soluții electronice de încredere și eficiente!