N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 333W G3R40MT12K

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A Idm: 140A 333W, G3R40MT12K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, conceput pentru performanțe excelente în aplicațiile electronice. Cu o putere disipată de 333W și un curent de drenă în impuls de 140A, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Montarea tranzistorului se face folosind tehnologia THT și are o carcasă TO247-4, oferind o instalare simplă și sigură. Subtipul ambalajului este sub formă de tub, iar tehnologia folosită este SiC, garantând durabilitate și performanțe superioare.

Caracteristicile elementelor semiconductoare includ terminalul Kelvin, rezistența în timpul funcționării de 40mΩ și un subtip de canal îmbogățit. Polarizarea este unipolară, iar curentul de drenă este de 50A, cu o tensiune drenă-sursă de 1.2kV.

Tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 15V, iar încărcătura poartă este de 106nC. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă, oferind performanțe remarcabile într-un pachet compact și durabil.