Tranzistor N-MOSFET Toshiba 100V 22A 72W TO220AB TK22E10N1

Tranzistorul N-MOSFET TK22E10N1 de la TOSHIBA este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent maxim de drenă de 22A, acest dispozitiv asigură o putere disipată de 72W, fiind ideal pentru circuite de putere și comutare.

• Producător: TOSHIBA


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 72W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220AB


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 22A


• Tensiune drenă-sursă: 100V


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 11,5mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 28nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Carcasa TO220AB și montarea THT facilitează integrarea ușoară în diverse proiecte electronice. Rezistența scăzută în timpul funcționării și încărcătura poartă redusă contribuie la eficiența și performanța optimă a tranzistorului.