• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ EM 600V 36A 403W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET WMOS™ EM 600V 36A 403W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ EM 600V 36A 403W

WMJ60N60EM-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
145,16 lei
119,97 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți puterea și fiabilitatea tranzistorului N-MOSFET WMOS™ EM 600V 36A 403W de la Wayo, un component electronic esențial pentru aplicații de înaltă performanță. Acest tranzistor se remarcă prin montarea THT, având o carcasă robustă TO247-3, ideală pentru integrarea eficientă în diverse proiecte. Cu o putere disipată de 403W și un curent de drenă de 36A, WMOS™ EM asigură o gestionare excelentă a energiei și o durabilitate ridicată în condiții de utilizare intense.

Proiectat cu o tensiune drenă-sursă de 600V, acest tranzistor N-MOSFET se dovedește a fi extrem de versatil, fiind capabil să suporte sarcini de impuls de până la 240A. Polarizarea unipolară și rezistența în timpul funcționării de doar 60mΩ garantează eficiență energetică ridicată, reducând pierderile de putere. Tehnologia avansată WMOS™ EM, împreună cu un subtip de canal îmbogățit, asigură o performanță optimizată și o stabilitate excepțională.

Încărcătura de poartă de 96nC face ca acest tranzistor să fie ușor de controlat, facilitând integrarea în circuite complexe. Alegeți WMOS™ EM pentru soluții electronice de încredere, care să răspundă celor mai exigente cerințe ale industriei moderne. Investiți în calitate și performanță cu tranzistorul N-MOSFET WMOS™ EM de la Wayo!
Detalii
WMJ60N60EM-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
403W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
240A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
36A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
60mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
96nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ EM

Coduri specifice

cod UPC
594143834177
cod EAN13
5945588377128
Cod MPN
WMJ60N60EM
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: