• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB

Tranzistor N-MOSFET 300V 38A 341W TO220AB INFINEON TECHNOLOGIES

IRFB4137PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
32,71 lei
27,03 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET 300V 38A 341W TO220AB INFINEON TECHNOLOGIES este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe excelente și fiabilitate. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată HEXFET®, garantând o eficiență optimă în funcționare. Cu o tensiune drenă-sursă de 300V și un curent drenă de 38A, acest component este perfect pentru circuite de alimentare și control al motoarelor electrice.

Montarea THT (Through-Hole Technology) și carcasa TO220AB asigură o integrare ușoară în diverse aplicații, în timp ce subtipul ambalajului în tub protejează tranzistorul în timpul transportului și manipulării. Cu o putere disipată de 341W și o rezistență în timpul funcționării de 56mΩ, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile chiar și în condiții de sarcină extremă.

Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V, împreună cu o încărcătură poartă de 83nC, fac acest model extrem de versatil, capabil să răspundă rapid la comenzi. Subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența generală a tranzistorului, oferind precizie și control în aplicații variate. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET 300V 38A 341W TO220AB INFINEON TECHNOLOGIES pentru soluții de înaltă performanță și durabilitate în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
IRFB4137PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
341W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
38A
Tensiune drenă-sursă
300V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
56mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
83nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5948679567583
Cod MPN
IRFB4137PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: