Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET Tranzistor 200V 150A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 150A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 150A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 150A 890W TO247-3

IXFH150N20T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
95,58 lei
78,99 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXFH150N20T este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat de IXYS pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest dispozitiv este montat prin găuri tehnologice (THT) și are o carcasă TO247-3, oferind o protecție excelentă împotriva supratensiunilor și supracurentilor. Tranzistorul are un subtip de ambalaj sub formă de tub și este caracterizat ca un tranzistor cu poartă îngropată, ideal pentru aplicații de putere.

Cu o putere disipată impresionantă de 890W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 150A, la o tensiune drenă-sursă de 200V. Rezistența sa în timpul funcționării este de doar 15mΩ, asigurând o eficiență maximă în aplicațiile cu curent mare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 177nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu comutații rapide.

Tranzistorul IXFH150N20T este un component de încredere, cu un timp de restabilire rapid de doar 100ns. Fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică, acest tranzistor N-MOSFET este soluția perfectă pentru aplicațiile de putere de înaltă performanță.
Detalii
IXFH150N20T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
890W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
150A
Tensiune drenă-sursă
200V
Rezistenţă în timpul funcţionării
15mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
177nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
100ns

Coduri specifice

cod UPC
594818451081
cod EAN13
5942440539144
Cod MPN
IXFH150N20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRF530NPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
8,26 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc