• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 8.2A 88W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 8.2A 88W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 8.2A 88W

SIHF9530S-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,2A; Idm: -48A; 88W
8,14 lei
6,73 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul VISHAY P-MOSFET unipolar este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Cu o putere disipată impresionantă de 88W și un curent de drenaj în impuls de până la -48A, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă într-o varietate de medii de lucru. Carcasa TO263 și montarea SMD fac acest tranzistor ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice.

Cu o tensiune drenaj-sursă de -100V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o gamă largă de aplicații posibile. Rezistența în timpul funcționării de 0,3Ω asigură o conducere optimă a curentului, în timp ce subtipul canalului îmbogățit și polarizarea unipolară contribuie la performanțe superioare.

Cu o încărcătură de poartă de 38nC și un curent de drenaj de -8,2A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Fiind un P-MOSFET, acest tranzistor oferă o soluție fiabilă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță.

În concluzie, tranzistorul VISHAY P-MOSFET unipolar este alegerea perfectă pentru cei care caută un component electronic de înaltă calitate, cu performanțe excelente și fiabilitate superioară.
Detalii
SIHF9530S-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
88W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
TO263
Curent de drenă în impuls
-48A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-8,2A
Tensiune drenă-sursă
-100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,3Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594849388769
cod EAN13
5949717657525
Cod MPN
SIHF9530S-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: