• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTK3139PT1G -20V 0,57A SOT723

NTK3139PT1G
ONSEMI
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
2,09 lei
1,73 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTK3139PT1G -20V 0,57A SOT723 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații cu montare pe suprafață (SMD). Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o tensiune drenă-sursă de -20V și un curent maxim de drenă de -0,57A, asigurând o funcționare stabilă și eficientă.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 0,45W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SOT723

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -0,57A

  • Tensiune drenă-sursă: -20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±6V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 2,2Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Acest tranzistor este potrivit pentru circuite de comutare și amplificare, oferind o soluție compactă și fiabilă datorită carcasei SOT723 și caracteristicilor tehnice avansate. Ambalajul în rolă și bandă facilitează procesul de asamblare automatizată.

Detalii
ONSEMI
NTK3139PT1G

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
0,45W
Montare
SMD
Carcasă
SOT723
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-0,57A
Tensiune drenă-sursă
-20V
Tensiune poartă-sursă
±6V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5948393374382
Cod MPN
NTK3139PT1G
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: