Tranzistorul IXTR20P50P, parte a gamei PolarP™ de la IXYS, este un P-MOSFET de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest dispozitiv poate fi montat în mod convenabil utilizând tehnologia THT și carcasa ISOPLUS247™, asigurând o disipare eficientă a puterii de până la 190W. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -500V, acest MOSFET oferă o performanță fiabilă și constantă.
Cu un curent de drenă de -13A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, Tranzistorul IXTR20P50P are o rezistență în timpul funcționării de 490mΩ, asigurând o funcționare stabilă și eficientă în diverse aplicații. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 103nC permite un control precis al dispozitivului.
Acest P-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă, datorită timpului de restabilire rapid de 406ns. Cu Tranzistorul IXTR20P50P, puteți fi siguri că dispozitivul dvs. electronic va funcționa la parametri optimi și va oferi performanțe de top în orice scenariu de utilizare.
Detalii
IXTR20P50P
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
190W
Montare
THT
Carcasă
ISOPLUS247™
Polarizare
unipolar
Curent drenă
-13A
Tensiune drenă-sursă
-500V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
490mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
103nC
Tip tranzistor
P-MOSFET
Timp de restabilire
406ns
Tehnologie
PolarP™
Coduri specifice
cod UPC
594476052712
cod EAN13
5949796342930
Cod MPN
IXTR20P50P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.