IGBT 900V 8A 125W TO252 Tranzistor

Tranzistorul IGBT GenX3™ 900V 8A 125W TO252 de la IXYS este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Producătorul acestui tranzistor este IXYS, iar subtipul de ambalaj este tub, ușor de montat pe plăcile SMD. Carcasa TO252 oferă o protecție solidă și eficientă împotriva factorilor externi.

Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de până la 48A de curent de colector pulsatoriu. Tensiunea port-emitor de ±20V și tensiunea colector-emițător de 900V asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diferite condiții de lucru.

Tehnologia avansată GenX3™ și XPT™, împreună cu designul planar, fac din acest tranzistor un alegere excelentă pentru aplicații de putere înalte. Cu un timp de activare de 39ns și un timp de dezactivare de 238ns, acest tranzistor oferă performanțe ridicate și o eficiență remarcabilă.

Încărcătura de poartă de 13,3nC și tipul IGBT fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă a semnalului. Fiabil, durabil și eficient, tranzistorul IGBT GenX3™ 900V 8A 125W TO252 de la IXYS este soluția perfectă pentru proiectele tale electronice exigente.