Tranzistor IGBT SiC SBD 650V 75A 405W TO247-4

Tranzistorul IGBT SiC SBD 650V 75A 405W TO247-4 este un produs de înaltă calitate fabricat de BASiC SEMICONDUCTOR. Acest tranzistor are o putere de disipare impresionantă de 405W și este echipat cu un diod anti-paralel integrat, asigurând performanțe excelente. Cu un curent de colector de 75A și o tensiune colector-emițător de 650V, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Timpul rapid de activare de 84ns și timpul de dezactivare de 565ns îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de comutare. Tehnologia utilizată în acest tranzistor include Trench și Field Stop, precum și tehnologia avansată SiC SBD, garantând eficiență și fiabilitate. Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Fiind un produs de la BASiC SEMICONDUCTOR, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor IGBT SiC SBD.