Tranzistorul IGBT 650V 30A 111W TO247-3 de la ROHM SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este echipat cu o diodă anti-paralelă integrată, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă. Cu o putere disipată de 111W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intensive fără probleme.
Cu un curent de colector de 30A și o tensiune colector-emițător de 650V, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață. Timpul de activare de 46ns și timpul de dezactivare de 290ns asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.
Datorită subtipului de ambalaj în tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații. Carcasa TO247-3 oferă o protecție suplimentară împotriva deteriorării mecanice. Cu o încărcătură de poartă de 36nC și un curent de colector pulsant de 90A, acest tranzistor este proiectat pentru a răspunde cerințelor de putere ale industriei moderne.
În concluzie, Tranzistorul IGBT 650V 30A 111W TO247-3 de la ROHM SEMICONDUCTOR este alegerea ideală pentru cei care caută o soluție puternică și fiabilă pentru aplicațiile lor electronice. Optați pentru performanță de încredere cu acest tranzistor de înaltă calitate!