• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P

IXFN20N120P
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; înşurubare; Idm: 50A
127,59 lei
105,45 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 20A SOT227B înşurubare Idm: 50A, IXFN20N120P de la IXYS este un dispozitiv de mare putere care oferă performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest modul cu tranzistor MOSFET beneficiază de tehnologia avansată Polar™, care asigură o funcționare fiabilă și eficientă. Carcasa SOT227B permite o montare ușoară și sigură, atât mecanică, cât și electrică, prin înșurubare.

Cu o putere disipată de 595W, acest modul poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 50A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere. Polarizarea unipolară și structura semiconductorului mono-tranzistor asigură o performanță optimă în diverse condiții de funcționare.

Cu un curent de drenă de 20A și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV, acest modul oferă o rezistență în timpul funcționării de 570mΩ, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și eficiență. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 193nC asigură o comutare rapidă și precisă.

Timpul de restabilire de 300ns completează caracteristicile excelente ale acestui modul mono-tranzistor, oferindu-vă un dispozitiv de înaltă performanță pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Alegeți calitatea și fiabilitatea IXYS pentru nevoile dumneavoastră de inginerie electronică.
Detalii
IXFN20N120P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
595W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
50A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
20A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă
±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării
570mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
193nC
Timp de restabilire
300ns
Tehnologie
HiPerFET™
Polar™

Coduri specifice

cod UPC
594478532625
cod EAN13
5947917934163
Cod MPN
IXFN20N120P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: