Tranzistor N-MOSFET SiC 1.2kV 15A 127W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 15A Idm: 40A 127W de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale remarcabile, cum ar fi montarea THT, carcasa TO247-3 și puterea disipată de 127W. Cu un curent de drenă în impuls de 40A și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenă de 15A și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o rezistență în timpul funcționării de 0,225Ω. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura porții de 34nC asigură o funcționare precisă și fiabilă a dispozitivului. Tranzistorul N-MOSFET SiC este fabricat folosind tehnologia avansată SiC, ceea ce îl face o alegere perfectă pentru aplicații care necesită performanțe superioare și eficiență energetică.

Cu MICROCHIP (MICROSEMI) la comanda, puteți avea încredere că tranzistorul dumneavoastră va fi de cea mai înaltă calitate și va oferi performanțe de neegalat. Alegeți tranzistorul N-MOSFET SiC pentru aplicațiile dumneavoastră electronice și beneficiați de performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.