• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN

FDA59N25
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
34,17 lei
28,24 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 392W, un curent de drenă în impuls de 236A și o tensiune drenă-sursă de 250V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 49mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.

Subtipul ambalajului este de tip tub, iar montarea este realizată prin tehnologia THT. Carcasa TO3PN asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă în timpul funcționării. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu sensibilitate la zgomot.

Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI este proiectat să funcționeze la un curent de drenă de 35A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de operare. Cu o încărcătură de poartă de 82nC, acest tranzistor oferă performanțe ridicate în aplicațiile cu cerințe critice de comutare.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru aplicații care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Fiind un tranzistor N-MOSFET de înaltă calitate, acest produs va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente proiecte electronice.
Detalii
ONSEMI
FDA59N25

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
392W
Montare
THT
Carcasă
TO3PN
Curent de drenă în impuls
236A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
35A
Tensiune drenă-sursă
250V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
49mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
82nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5947677178111
Cod MPN
FDA59N25
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: IRF710PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1,2A; 36W; TO220AB
7,76 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc